LED（LightingEmittingDiode）照明(ming)即是(shi)發光(guang)(guang)(guang)(guang)二極管(guan)照明(ming)，是(shi)一種半導(dao)(dao)(dao)體(ti)固體(ti)發光(guang)(guang)(guang)(guang)器件。它(ta)是(shi)利用(yong)固體(ti)半導(dao)(dao)(dao)體(ti)芯(xin)片(pian)作(zuo)為(wei)(wei)發光(guang)(guang)(guang)(guang)材(cai)料(liao)，在半導(dao)(dao)(dao)體(ti)中通(tong)過載流(liu)子發生(sheng)復(fu)合放出(chu)過剩的(de)能量而引起(qi)光(guang)(guang)(guang)(guang)子發射(she)，直接發出(chu)紅、黃(huang)、藍、綠色的(de)光(guang)(guang)(guang)(guang)，在此基(ji)(ji)礎上，利用(yong)三基(ji)(ji)色原理，添加熒(ying)光(guang)(guang)(guang)(guang)粉，可以(yi)發出(chu)任(ren)意(yi)顏色的(de)光(guang)(guang)(guang)(guang)。利用(yong)LED作(zuo)為(wei)(wei)光(guang)(guang)(guang)(guang)源(yuan)制造(zao)出(chu)來(lai)的(de)照明(ming)器具就是(shi)LED燈(deng)具。LED照明(ming)燈(deng)具里，反射(she)用(yong)途的(de)LED照明(ming)燈(deng)具可以(yi)勝任(ren)于各種場合，大面積室(shi)內照明(ming)還(huan)不成熟。

     LED光(guang)源的LED是(shi)(shi)由(you)Ⅲ-Ⅳ族化合物，如(ru)GaAs（砷化鎵）、GaP（磷(lin)化鎵）、GaAsP（磷(lin)砷化鎵）等半導體制成(cheng)的，其核心是(shi)(shi)PN結。因此(ci)它具有(you)一般P-N結的I-V特性，即正向導通，反向截止(zhi)、擊穿特性。此(ci)外，在(zai)條件下，它還具有(you)發(fa)光(guang)特性。在(zai)正向電壓下，電子(zi)由(you)N區注(zhu)入P區，空(kong)穴由(you)P區注(zhu)入N區。進(jin)入對方區域的少(shao)(shao)數(shu)載流(liu)子(zi)（少(shao)(shao)子(zi)）一部分與多(duo)數(shu)載流(liu)子(zi)（多(duo)子(zi)）復(fu)合而發(fa)光(guang)。

     假設發(fa)(fa)(fa)(fa)光(guang)(guang)(guang)(guang)是(shi)在(zai)P區(qu)中發(fa)(fa)(fa)(fa)生(sheng)的(de)(de)(de)(de)(de)，那么注(zhu)入的(de)(de)(de)(de)(de)電子與(yu)價帶(dai)空(kong)穴(xue)(xue)直接復(fu)(fu)合而(er)(er)發(fa)(fa)(fa)(fa)光(guang)(guang)(guang)(guang)，或者先被(bei)發(fa)(fa)(fa)(fa)光(guang)(guang)(guang)(guang)中心(xin)捕獲后，再(zai)與(yu)空(kong)穴(xue)(xue)復(fu)(fu)合發(fa)(fa)(fa)(fa)光(guang)(guang)(guang)(guang)。除了這(zhe)種發(fa)(fa)(fa)(fa)光(guang)(guang)(guang)(guang)復(fu)(fu)合外，還有些電子被(bei)非(fei)發(fa)(fa)(fa)(fa)光(guang)(guang)(guang)(guang)中心(xin)（這(zhe)個(ge)中心(xin)介于(yu)導帶(dai)、介帶(dai)中間附近）捕獲，而(er)(er)后再(zai)與(yu)空(kong)穴(xue)(xue)復(fu)(fu)合，每次(ci)釋放的(de)(de)(de)(de)(de)能量(liang)不(bu)大，不(bu)能形成可見光(guang)(guang)(guang)(guang)。發(fa)(fa)(fa)(fa)光(guang)(guang)(guang)(guang)的(de)(de)(de)(de)(de)復(fu)(fu)合量(liang)相對于(yu)非(fei)發(fa)(fa)(fa)(fa)光(guang)(guang)(guang)(guang)復(fu)(fu)合量(liang)的(de)(de)(de)(de)(de)比例越大，光(guang)(guang)(guang)(guang)量(liang)子效率越高。由(you)于(yu)復(fu)(fu)合是(shi)在(zai)少子擴(kuo)散區(qu)內(nei)發(fa)(fa)(fa)(fa)光(guang)(guang)(guang)(guang)的(de)(de)(de)(de)(de)，所以光(guang)(guang)(guang)(guang)僅在(zai)靠近PN結(jie)面數μm以內(nei)產生(sheng)。

     led線條燈廠家理論(lun)和(he)實踐(jian)證(zheng)明，光(guang)(guang)的(de)(de)峰值波(bo)長λ與發光(guang)(guang)區域的(de)(de)半導體材料(liao)帶隙Eg有(you)關，即λ≈1240/Eg（mm）式(shi)中(zhong)(zhong)Eg的(de)(de)單位為電子伏特（eV）。若能產生可見光(guang)(guang)（波(bo)長在380nm紫光(guang)(guang)～780nm紅光(guang)(guang)），半導體材料(liao)的(de)(de)Eg應在3.26～1.63eV之(zhi)間。比紅光(guang)(guang)波(bo)長長的(de)(de)光(guang)(guang)為紅外光(guang)(guang)。已有(you)紅外、紅、黃(huang)、綠(lv)及藍(lan)光(guang)(guang)發光(guang)(guang)二極管(guan)，但(dan)其(qi)中(zhong)(zhong)藍(lan)光(guang)(guang)二極管(guan)成本、價格(ge)很高，使(shi)用不(bu)普遍。